승이네 반도체

엔지닉에서 주관한 반도체 빡공 스터디는 반도체 기업 취업을 목표로 만들어진 스터디입니다. 정말 목표에 뚜렷하게 갈 수 있게끔 이끌어 주셨습니다. 다음과 같이 매일 10시경 0일차 학습알림 해주셔서 그때마다 공부플랜 짜서 하면 늦지 않습니다. 저는 개인적으로 1주차 동안 첫 번째로 동영상 1회 시청, 두 번째로 2회차 시청할 때 반복하면서 필기, 세 번째로 필기한거 토대로 블로그에 작성하면서 총 3회독을 하였습니다. 2주차 동안에는 학교에서 10시부터 17시까지 반도체 산업 입문과정이라는 수업과 함께 들어 동영상 시청하면서 필기 후 블로그에 올리는 정도만(반복 필기X) 했습니다. 개인적으로 정말정말 만족스러웠습니다. 매일매일 스케줄 관리(학습일지 작성)에 데일리 미션을 통한 약간의 강제성, 추가적으로 약 ..

19차시 세정 공정 1. 세정 공정의 정의 - 웨이퍼 표면의 이물질을 비롯하여, 금속 불순물, 유기 오염물 및 불필요한 박막 등의 원하지 않는 모든 불순물을 물리, 화학적 방법으로 사용하여 제거하는 공정 2. 세정 공정 요건 - 클리닝 화공약품 및 가스 등의 자체 오염이 없을 것 - 웨이퍼 표면 모든 형태의 오염원을 효과적으로 제거할 수 있을 것 - 하부 구조 또는 박막을 식각하거나 손상을 주지 말 것 - 안전하고 경제적이며 친환경적일 것 3. 세정 공정 분류 - Front-End(트랜지스터) -> 산, 알칼리 세정 -> RCA 세정 - Back-End(금속) -> 금속 배선 후 세정 -> 기계적 세정 - 습식 세정 ① RCA 세정 ② Ohmic 세정 ③ IMEC 세정 - 건식 세정 ① Plasma 세정..

17차시 이온 주입 공정 1. 이온 주입 공정 정의 - 반도체에 전도성을 부여하기 위해 웨이퍼에 불순물(도판트)을 주입(도핑)하는 공정으로 이온주입 장비를 이용하여 입자를 가속시켜 웨이퍼에 주입하는 공정 2. 이온 주입 공정과 확산 공정 비교 1) 이온주입공정 장점 - 정확한 도핑량과 깊이 제어 - 농도와 접합 깊이의 독립적 제어 - 비 등방성 단점 - 이온주입 손상 - 채널링 2) 확산 공정 장점 - 웨이퍼에 손상이 적자 - 일괄처리 단점 - 고온 공정(산화막 등 하드 마스크) - 농도와 접합 깊이의 독립적 제어 불가 - 등방성 3. 이온 주입 장치 – 전체 ① 이온 소스 : 플라즈마를 만들어 주입하고자 하는 이온을 생성하고 이온 빔을 추출 ② 질량 분석기 : 질량 분석 원리를 이용 원하는 이온 빔만을..

15차시 금속 배선 공정 1. 금속 배선 공정의 정의 - 반도체 회로 내 소자간의 신호 전달 및 공급 전력을 위해 저 저항의 금속을 사용, 소자 및 하부 배선들을 서로 연결하고 전기적으로 격리되어야 할 부분은 절연체를 사용, 절연 시키는 공정 2. 기존 배선(Al) 공정의 한계 1) 무어의 법칙 -> 반도체 칩 미세화 진행 -> 저항 및 정전용량 증가 2) 기존 알루미늄 및 실리콘 산화막 층간 절연막 배선 구조의 신호 지연 문제 심각 3) 알루미늄 -> 구리 및 실리콘 산화막 -> 저 유전율 층간 절연막 구조로 변경 3. 구리 배선 공정 1) 구리 배선 채택 이유 ① 성능향상 - 알루미늄보다 낮은 비저항 -> Al 2.66 / Cu 1.67[uΩ*cm] ② 신뢰성 개선 : 구리는 알루미늄 대비 전자이동(..

13차시 박막 증착 공정(1) 1. 박막 증착 공정 정의 및 분류 - 박막은 통상, 두께 1um 이하의 막을 말하며 공정 분류 체계는 다음과 같다. * CVD : Chemial Vapor Deposition * PVD : Physical Vapor Deposition * 진공 증착 : Evaporation * 직류 스퍼터링 : DC Spittering * 교류(고주파) : AC(RF : Radio Frequency) * 상압 CVD : Atmospheric CVD (AP-CVD) * 저압 CVD : Low Pressure CVD (LP-CVD) * 플라즈마 증속 CVD : Plasma Enhanced CVD (PE-CVD) * 금속 유기물 CVD : Metal Organic CVD (MO-CVD) * 원..