승이네 반도체

11차시 식각 공정(1) 1. 플라즈마의 정의 - 제 4의 물질 – 윌리엄 크룩스(1879), 최초의 플라즈마 명명 – 어빙 랑뮈르 - 플라즈마를 한마디로 하면 이온화된 기체 - 플라즈마 = 중성입자 + 전자 + 이온 + 활성종(라디칼) + 여기된(excited) 중성종 + 광자(빛) => 여러가지 입자들의 총합이다. - 반도체 공정의 플라즈마의 이온화율 -> 약 0.001% ~ 수% 정도 - 특성 -> 전기적 준 중성 상태(Quasi-Neutrality) (전체적으로는 +이온, -이온, 전자, 중성 등 전체적으로 중성상태, But 극소적으로는 +이온이 많을 수도, -이온이 많을 수도 있다. 2. 플라즈마의 생성 - 진공 Chamber에 반응 Gas를 주입 -> 강한 전기장 인가 -> 전자 가속(고온 전..

3. 박막/확산 장비 운영 준비하기 우리가 공부하고 있는 반도체 칩은 사람의 손톱보다 작고 얇은데요 이러한 반도체 칩을 수직으로 잘라서 고배율 전자현미경을 통해 들여다 보면 상상할 수 없을 만큼 미세하고, 수많은 층(Layer)이 고층 빌딩처럼 높고 견고하게 쌓여있는 모습을 볼 수 있습니다. 단결정 실리콘(Si) Wafer - 박막(박막을 입히고) -> 포토공정(회로패턴을 그려넣음) -> 식각세정(불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 식각과정과 세정과정을 여러번 반복해야합니다.) 박막(Thin Film) - 기계가공으로는 실현 불가능한 1마이크로미터 이하의 얇은 막 박막 공정 -> 반도체 공정에서는 반도체가 원하는 전기적인 특성을 갖도록 하기 위해서 분자 도는 원자단위의 물질을 촘촘히 쌓게 됩니다. 워낙 ..

2. Etch 장비 운영 준비하기 Etch 장비 운영에 앞서 반도체 공정 전반에 대해 간단히 알아보겠습니다. 반도체 제조 공정(집적회로(IC, Integrated Circuit)를 만드는 과정) 1. 설계 반도체 미세회로 설계 - 설계엔지니어 - 공정엔지니어 2. FAB 공정: 전공정(Fabrication) 반도체 미세회로 제조(um~nm단위의 선폭) Fab 공정 -> 공정결과 전자현미경사진 -> FET 완성(Field Effect Transistor) 3. Packaging: 후공정 Wire Bonding, TSV 배선공정, 보호막 등 8대 공정 1. Wafer 제조 2. 산화막 형성 3. Photo 공정 4. Etching 공정 - 반도체의 구조를 형성하는 패턴을 만드는 공정 5. 박막증착(CVD, ..

9차시 포토 공정(2) 1. 트랙(Track) 설비 2. 노광 설비 발전 노광 시스템 : 접촉(Contact) 노광 -> 근접(Proximity) 노광 -> 투사(Projection 노광) 1) 접촉 노광법 - 회절 최소화 -> 고해상도 - 마스크/웨이퍼 직접 접촉 -> 마스크/웨이퍼 이물/손상 2) 근접 노광법 - Mask 교체 용이 - 마스크/웨이퍼 이물/손상 저감 - 회절로 인한 해상도 한계 3) 투사 노광법 - Defect free - 고해상도 구현 - 가장 많이 사용(스테퍼/스캐너) - 축소 마스크(마스크 제작 용이) 노광원(Light Source) : 단 파장화(Short wave-length) -> 해상도 개선 3. 노광 공정 원리 노광은 빛의 굴절, 간섭, 반사 특성을 이용하여 마스크 상의..

7차시 NAND Flash(2) 1. 부유 게이트(FG, Floating Gate) VS 전하 포획형 Cell(CTF, Charge Trap Flash) 비교 1) Floating Gate 형 Cell Structure - 제어 게이트(CG, Control Gate) - IPD(Inter Poly Dielectric) - FG(Floating Gate) - Tox(Tunnel Oxide) Charge Storage - Floating Gate(Poly-Si) -> 전도체 - Thick (Gate Coupling Ratio(Cr)을 증가시키기 위해) - FN tunneling (Flower Node Tunneling) Charge 저장 - Poly-Si의 Ec에 Free electon형태로 저장되어 있다...